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南京大学博导刘治国教授阐述未来微电子器件材料

【新闻作者:杜玫静   来自:本站原创  来自:  已访问: 责任编辑:刘春霞   】


11月29日,应我校物理与光电子学院的邀请,南京大学物理系教授、博士生导师刘治国在该院三楼会议室为作了一场题为“下一代微电子器件需要新材料”的报告会。该院院长张伟风主持了会议。

报告会上,刘教授分别从“摩尔定律”的极限及对策、高介电系数栅介质材料的研究、铁电薄膜和铁电存储器、存储器用相变记忆材料等四个方面全面的介绍了当今微电子器件材料的限制和缺陷以及关于今后微电子器件材料的选择条件、研究方向和应用前景。刘教授还提到,由于这种材料有着较大的改进空间,因此这一领域大量待研究的课题对我国物理学界提出了更高要求。

最后,就在场师生提出的问题,刘教授作出了详细的解答。

录入时间:2006-11-30[打印此文] [关闭窗口]

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